IPD80R280P7ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R280P7ATMA1 par Infineon et IRF1310NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R280P7ATMA1 IRF1310NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS P7) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) D2PAK (TO-263AB)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

Fiches techniques et ressources

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