IPD80R280P7ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R280P7ATMA1 por Infineon y IRF1310NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R280P7ATMA1 IRF1310NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS P7) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) D2PAK (TO-263AB)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

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