IPD80R2K4P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD80R2K4P7ATMA1 von Infineon und IPD80R1K4P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,62
Part Number IPD80R2K4P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), Superjunction N-Channel Superjunction
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 800 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 2.5 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 22 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2000 mOhm —
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-2 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pins 3 (2 + Tab) —
Configuration Single —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Part Status Active —
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Verlustleistung (Ptot) — 32 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
RoHS-Status — Compliant
REACH Status — Compliant
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes
Body Diode — Integrated, fast recovery

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