IPD80R2K4P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD80R2K4P7ATMA1 por Infineon e IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,62
Part Number IPD80R2K4P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), Superjunction N-Channel Superjunction
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 800 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 2.5 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 22 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2000 mOhm —
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-2 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Pins 3 (2 + Tab) —
Configuration Single —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Part Status Active —
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Dissipação de potência (Ptot) — 32 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Status RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes
Body Diode — Integrated, fast recovery

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação