IPD80R2K4P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R2K4P7ATMA1 par Infineon et IPD80R1K4P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 2.5A N-Channel MOSFET | Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD80R2K4P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,62 |
| Part Number | IPD80R2K4P7ATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), Superjunction | N-Channel Superjunction |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 2.5 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 22 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 2000 mOhm | — |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Pins | 3 (2 + Tab) | — |
| Configuration | Single | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Part Status | Active | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | 32 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |