IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD90P04P4L04ATMA2 von Infineon und IPD90P04P405ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,22 $0,69
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (Tj)
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

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