IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90P04P4L04ATMA2 par Infineon et IPD90P04P405ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,22 $0,69
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (Tj)
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Fiches techniques et ressources

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