IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD90P04P4L04ATMA2 제조: Infineon 및 IPD90P04P405ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.22 $0.69
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (Tj)
패키지 PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청