IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P4L04ATMA2 por Infineon e IPD90P04P405ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,22 $0,69
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (Tj)
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação