IPG16N10S4L61AATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG16N10S4L61AATMA1 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG16N10S4L61AATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,12 $1,21
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C (TJ) —
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Gehäuse — TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
MSL-Level — 1 (unlimited)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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