IPG16N10S4L61AATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG16N10S4L61AATMA1 por Infineon e BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG16N10S4L61AATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,12 $1,21
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +175C (TJ) —
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Encapsulamento — TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Nível MSL — 1 (unlimited)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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