IPG16N10S4L61AATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG16N10S4L61AATMA1 por Infineon y BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG16N10S4L61AATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,12 $1,21
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ) —
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Encapsulado — TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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