IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN80R4K5P7ATMA1 von Infineon und IPN95R3K7P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,30 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 950 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Gehäuse PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Super-junction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS-Status Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Series — CoolMOS P7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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