IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPN80R4K5P7ATMA1 por Infineon y IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,30 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 950 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Encapsulado PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Super-junction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
Estado RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Series — CoolMOS P7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Hojas de datos y recursos

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