IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN80R4K5P7ATMA1 par Infineon et IPN95R3K7P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,30 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 950 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Boîtier PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Super-junction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
Statut RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Series — CoolMOS P7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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