IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN80R4K5P7ATMA1 por Infineon e IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,30 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 950 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Encapsulamento PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Super-junction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
Status RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Series — CoolMOS P7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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