IPN95R3K7P7ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN95R3K7P7ATMA1 von Infineon und IAUCN10S7N021ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN95R3K7P7ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,44 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A 175 A
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Gehäuse PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

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