IPN95R3K7P7ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN95R3K7P7ATMA1 par Infineon et IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN95R3K7P7ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,44 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A 175 A
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Boîtier PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

Fiches techniques et ressources

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