IPN95R3K7P7ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon y IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPN95R3K7P7ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,44 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A 175 A
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Encapsulado PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

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