IPN95R3K7P7ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon e IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN95R3K7P7ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,44 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A 175 A
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Encapsulamento PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

Fichas técnicas e recursos

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