IPP600N25N3GXKSA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP600N25N3GXKSA1 von Infineon und IPD600N25N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP600N25N3GXKSA1 IPD600N25N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse / Bauform TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Montageart Through Hole Surface Mount (Tape & Reel)
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Part Series — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Schwellenspannung — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

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