IPP600N25N3GXKSA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP600N25N3GXKSA1 par Infineon et IPD600N25N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP600N25N3GXKSA1 IPD600N25N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier / Format TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Type de montage Through Hole Surface Mount (Tape & Reel)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Part Series — OptiMOS 3
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Fiches techniques et ressources

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