IPP600N25N3GXKSA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon e IPD600N25N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP600N25N3GXKSA1 IPD600N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento / Caixa TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount (Tape & Reel)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Part Series — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Tensão de limiar de gate — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Fichas técnicas e recursos

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