IPP600N25N3GXKSA1 vs STW45NM50 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP600N25N3GXKSA1 von Infineon und STW45NM50 von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP600N25N3GXKSA1 STW45NM50
Marke Infineon STMicroelectronics
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $9,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse / Bauform TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Montageart Through Hole Through Hole
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 500 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
Gehäuse — TO-247
RoHS-Status — Compliant
Halogenfrei — Yes

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