IPP600N25N3GXKSA1 vs STW45NM50 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon e STW45NM50 por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP600N25N3GXKSA1 STW45NM50
Marca Infineon STMicroelectronics
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $9,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento / Caixa TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 500 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
Encapsulamento — TO-247
Status RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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