IPP600N25N3GXKSA1 vs STW45NM50 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP600N25N3GXKSA1 par Infineon et STW45NM50 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP600N25N3GXKSA1 STW45NM50
Marque Infineon STMicroelectronics
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $9,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier / Format TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 500 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 45 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 ohm
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Avalanche Energy (EAS) — 1.2 J
Power Dissipation (PD) — 450 W
Boîtier — TO-247
Statut RoHS — Compliant
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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