IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT008N06NM5LFATMA1 von Infineon und IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT008N06NM5LFATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,40 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
Gepulster Drain-Strom [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) —
Gehäuse PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-HSOF-8 (TOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 6
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Betriebstemperatur — -55C to +175C
Pin-Anzahl — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

Datenblätter & Ressourcen

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