IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon y IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT008N06NM5LFATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,40 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
Corriente de drenador pulsada [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) —
Encapsulado PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-HSOF-8 (TOLL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 6
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Recuento de pines — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

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