IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon e IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT008N06NM5LFATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,40 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
Corrente de dreno pulsada [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) —
Encapsulamento PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-HSOF-8 (TOLL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 6
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Temperatura de operação — -55C to +175C
Contagem de pinos — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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