IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT008N06NM5LFATMA1 par Infineon et IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT008N06NM5LFATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,40 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
Courant de drain pulsé [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) —
Boîtier PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-HSOF-8 (TOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 6
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Nombre de broches — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

Fiches techniques et ressources

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