IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 비교
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Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IPT008N06NM5LFATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.40 | $1.85 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 / Linear FET | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 454 A | — |
| 펄스 드레인 전류 | [DATA_NEEDED: pulsed ID] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | 0.8 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 3.6 V (typ, 250 µA test) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| 패키지 | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 6 |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | not_qualified (industrial-grade by default) | — |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| 동작 온도 | — | -55C to +175C |
| 핀 수 | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |