IPTC039N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPTC039N15NM5ATMA1 von Infineon und IQE220N15NM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPTC039N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,05 $2,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Betriebstemperatur -55 C to +175 C (junction) —
Gehäuse PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5, Source-Down
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
RoHS-Status Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)

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