IPTC039N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPTC039N15NM5ATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPTC039N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,05 $2,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) —
Boîtier PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5, Source-Down
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis