IPTC039N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPTC039N15NM5ATMA1 por Infineon y IQE220N15NM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPTC039N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,05 $2,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) —
Encapsulado PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5, Source-Down
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
Estado RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)

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