IQD016N08NM5ATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IQD016N08NM5ATMA1 von Infineon und IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IQD016N08NM5ATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,68 | $1,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 789 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 278 W |
| Gehäuse | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Pin-Anzahl | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |