IQD016N08NM5ATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQD016N08NM5ATMA1 par Infineon et IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQD016N08NM5ATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,68 | $1,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 789 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 278 W |
| Boîtier | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Nombre de broches | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |