IQD016N08NM5ATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon e IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IQD016N08NM5ATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,68 | $1,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 789 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 278 W |
| Encapsulamento | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Contagem de pinos | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |