IQDH35N03LM5SCATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQDH35N03LM5SCATMA1 von Infineon und BSZ068N06NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQDH35N03LM5SCATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Gehäuse PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
MSL-Level 1 (unlimited) MSL1
RoHS-Status Compliant —
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 46 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

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