IQDH35N03LM5SCATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQDH35N03LM5SCATMA1 제조: Infineon 및 BSZ068N06NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQDH35N03LM5SCATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $0.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 (trench-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| 패키지 | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C |
| MSL 레벨 | 1 (unlimited) | MSL1 |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mΩ @ VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, halogen-free |