IQDH35N03LM5SCATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon e BSZ068N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH35N03LM5SCATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,05 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Encapsulamento PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Nível MSL 1 (unlimited) MSL1
Status RoHS Compliant —
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 46 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

Fichas técnicas e recursos

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