IQDH35N03LM5SCATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon y BSZ068N06NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQDH35N03LM5SCATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,05 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Encapsulado PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Nivel MSL 1 (unlimited) MSL1
Estado RoHS Compliant —
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 46 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización