IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQDH88N06LM5SCATMA1 von Infineon und IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,55 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 278 W
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Pin-Anzahl — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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