IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH88N06LM5SCATMA1 por Infineon e IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,55 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 278 W
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Contagem de pinos — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação