IQDH88N06LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH88N06LM5SCATMA1 par Infineon et IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH88N06LM5SCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,55 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IQDH88N06LM5SCATMA1 —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 447 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.7 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11 nF —
Output Capacitance (Coss) 2 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 95 pF —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 278 W
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Nombre de broches — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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