IQE022N06LM5CGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE022N06LM5CGATMA1 von Infineon und IQE018N06NM6CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE022N06LM5CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) Trench MOSFET, OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C 24 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 151 A —
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) 2.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] 3.3 V (logic-level compatible)
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Power Dissipation (T_A) 2.5 W —
Power Dissipation (T_C) 100 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 9 (with exposed thermal pad) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
RoHS Compliance — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern