IQE022N06LM5CGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE022N06LM5CGATMA1 por Infineon e IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE022N06LM5CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) Trench MOSFET, OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C 24 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 151 A —
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) 2.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] 3.3 V (logic-level compatible)
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Power Dissipation (T_A) 2.5 W —
Power Dissipation (T_C) 100 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 9 (with exposed thermal pad) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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