IQE022N06LM5CGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE022N06LM5CGATMA1 par Infineon et IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE022N06LM5CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) Trench MOSFET, OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C 24 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 151 A —
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) 2.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] 3.3 V (logic-level compatible)
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G value] —
Power Dissipation (T_A) 2.5 W —
Power Dissipation (T_C) 100 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 9 (with exposed thermal pad) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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