IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE220N15NM5CGSCATMA1 von Infineon und IQE050N08NM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,18 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V —
Gehäuse PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5 (trench)
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
RoHS-Status Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 99 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.0 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation at TC (PD) — 100 W
Total Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant
MSL-Level — 1

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