IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE220N15NM5CGSCATMA1 por Infineon y IQE050N08NM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,18 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V —
Encapsulado PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5 (trench)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
Estado RoHS Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 99 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.0 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation at TC (PD) — 100 W
Total Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant
Nivel MSL — 1

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