IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE050N08NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,18 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V —
Boîtier PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5, Source-Down OptiMOS 5 (trench)
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
Statut RoHS Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 99 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.0 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation at TC (PD) — 100 W
Total Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis